1. Repositório Institucional - Universidade Federal de Uberlândia
  2. Instituto de Física (INFIS)
  3. DISSERTAÇÃO - Física
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dc.creatorMendes Junior, Djalma Rosa-
dc.date.accessioned2019-11-11T22:48:55Z-
dc.date.available2019-11-11T22:48:55Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationMENDES JUNIOR, Djalma Rosa. Crescimento e caracterização de Nanocristais semicondutores em matrizes Vítreas. 2004. 168 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2019. DOI http://doi.org/10.14393/ufu.di.2004.18pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufu.br/handle/123456789/27349-
dc.description.abstractIt was synthesized and c haracterized semiconductor nanocrystals CdSxSei-x and CdTe hosted in glasses. It was obtained optical absorption specter (AO), Photoluminescence (PL) and Raman. Both AO and PL bands dislocate for higher wavelength when submitted to 550°C with time increasing, starting growing the CdSxSe-|.x nanocrystals. PL spectra, obtained as a function of temperature, showed two important bands, one is attributed by the energy leveis transitions inside the quantum dots and other by nanocrystal defects. Raman Specter, obtained at room temperature, confirm the CdSxSe^x nanocrystals growing in glasses host with composites 4OSÍO2.30Na2CO3. 29B2O3. 1AI2O3 (mol%)+ [2CdO + 2S + 2Se] (%wt). Through the strong confinement, it's possible to affirm the quantum dots average radius about 20 A.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Uberlândiapt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/*
dc.subjectSemicondutorespt_BR
dc.subjectFotoluminescênciapt_BR
dc.titleCrescimento e caracterização de Nanocristais semicondutores em matrizes Vítreaspt_BR
dc.title.alternativeGrowth and characterization of semiconductor nanocrystals in vitreous matricespt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.contributor.advisor1Dantas, Noelio Oliveira-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/2512066286388977pt_BR
dc.contributor.referee1Miwa, Roberto Hiroki-
dc.contributor.referee2Yukimitu, Keizo-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/2961832322849052pt_BR
dc.description.degreenameDissertação (Mestrado)pt_BR
dc.description.resumoSintetizou-se e caracterizou-se nanocristais semicondutores de CdSxSei_x e CdTe em matrizes vítreas. Obtiveram-se Espectros de Absorção Óptica (AO), Fotoluminescência (PL) e Raman. Tanto as bandas de AO como as de PL deslocaram-se para comprimentos de ondas maiores à medida que as amostras foram submetidas a 550°C por intervalos de tempos crescentes, dando indícios de crescimento dos nanocristais CdSxSevx. Espectros PL, obtidos em função da temperatura, destacam duas bandas, em que uma é atribuída a transições de níveis dentro dos pontos quânticos e a outra a defeitos. Espectros Raman, obtidos à temperatura ambiente, confirmam o crescimento de nanocristais de CdSxSe^x na matriz vítrea de composição 40SiO2.30Na2CO3.29B2O3. 1AI2O3 (mol%) + [2CdO + 2S + 2Se] (%wt). Através do modelo de confinamento forte, pode-se estimar o raio médio dos pontos quânticos em torno de 20 A.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-graduação em Físicapt_BR
dc.sizeorduration168pt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.identifier.doihttp://doi.org/10.14393/ufu.di.2004.18pt_BR
dc.orcid.putcode81762526-
dc.crossref.doibatchid4bae1d7f-9bd6-47c7-b301-d78325bee2eb-
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