1. Repositório Institucional - Universidade Federal de Uberlândia
  2. Instituto de Física (INFIS)
  3. TCC - Física (Licenciatura)
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dc.creatorSilva, Júlio César da-
dc.date.accessioned2019-07-31T18:10:22Z-
dc.date.available2019-07-31T18:10:22Z-
dc.date.issued2012-08-29-
dc.identifier.citationSILVA, Júlio César da. Estudo teórico de defeitos em nanoestruturas cristalinas de Nitreto de Índio. 2012. 49 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Física) – Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2019.pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufu.br/handle/123456789/26381-
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Uberlândiapt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/*
dc.subjectTeoria do Funcional da Densidadept_BR
dc.subjectDefeitos em cristais de InNpt_BR
dc.titleEstudo teórico de defeitos em nanoestruturas cristalinas de Nitreto de Índiopt_BR
dc.typeTrabalho de Conclusão de Cursopt_BR
dc.contributor.advisor1Schmidt, Tome Mauro-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/5594585359874582pt_BR
dc.contributor.referee1Miwa, Roberto Hiroki-
dc.contributor.referee2Barbosa Neto, Newton Martins-
dc.description.degreenameTrabalho de Conclusão de Curso (Graduação)pt_BR
dc.description.resumoEste trabalho tem como foco a aplicação da nanociência no estudo de nanoestruturas de nitreto de índio. O assunto principal da pesquisa são os semicondutores de InN, que são materiais que apresentam várias aplicações na nanoeletrônica em geral. Na realização dos cálculos utilizamos métodos computacionais de primeiros princípios dentro do formalismo da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Para descrever o termo de troca e correlação, foram utilizadas aproximações do gradiente generalizado (GGA) e da densidade local LDA). Também foi usado o código computacional VASP (Vienna Ab initio Package Simulation) e o cluster do Laboratório de Física Computacional (LFC) da Universidade Federal de Uberlândia (UFU). Neste trabalho foram estudadas as propriedades estruturais e eletrônicas, em diferentes tipos de defeitos puntuais, como vacâncias e dopagem de magnésio, para as nanoestruturas de bulk e nanofio de InN. O objetivo final era obter as energias de formação de cada sistema, e verificar quais são mais estáveis. Para o bulk as estuturas que apresentaram maior estabilidade foram a vacância de nitrogênio, e Mg intersticial, ambos materiais tipo n. Para os nanofios, os defeitos que apresentaram menor energia de formação foi Mg substitucional índio, tipo p, e Mg intersticial, tipo n. Porém, o crescimento destas estruturas experimentalmente é complexo, e poucos trabalhos experimentais são encontrados na literatura para comparação dos resultados.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.courseFísicapt_BR
dc.sizeorduration49pt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADApt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA::ESTADOS ELETRONICOSpt_BR
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