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Desenvolvimento de alface submetida à aplicação foliar de fontes de silício

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CNPQ::CIENCIAS AGRARIAS::AGRONOMIA

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Resumo

O silício é um elemento que recentemente entrou na agricultura, pelo fato de melhorar o desempenho de algumas culturas. Com o objetivo de avaliar os efeitos de dois produtos que apresentam quantidades consideráveis de silício em suas constituições, aplicados via foliar na cultura da alface, foi conduzido este experimento na Fazenda Experimental do Glória (Universidade Federal de Uberlândia) no período de fevereiro a abril de 2003 em um Latossolo Vermelho Amarelo de textura média, onde a adubação utilizada foi a recomendada pela Horta da Universidade. Os produtos utilizados foram: “Argila Silicatada” (17% de silício), nas dosagens de 3 kg.m3, 5 kg.m3 e 7 kg.m3 de água; e “Silício Solúvel”(30% de silício), na dosagem de 200 ml 100 dm3 de água. O experimento foi conduzido sob delineamento de blocos casualizados, com 9 tratamentos e 4 repetições, obtendo 36 parcelas cada uma com 2 m2, e canteiros com 70 cm de espaçamentos entre si. Os produtos foram aplicados via pulverização foliar, em intervalos de 7 em 7 dias e 14 em 14 dias, e a cultivar utilizada foi a Vera. As plantas foram colhidas 45 dias após o transplantio. As variáveis analisadas foram: diâmetro do caule, diâmetro da cabeça e peso fresco da cabeça, De modo geral, na medida em que se aumentou a aplicação de “Argila Silicatada”, houve uma diminuição do diâmetro do caule, diâmetro de cabeça e peso fresco da cabeça, quando comparados com os tratamentos Testemunha e “Silício Solúvel” que apresentaram maiores produtividades. Provavelmente este fato ocorreu por este produto apresentar alta quantidade de alumínio em sua composição, e também ser pouco solúvel em água.

Abstract

Palavras-chave

Adubação, Silicio, Alface

Citação

AMADO, Daniel Freire. Desenvolvimento de alface submetida à aplicação foliar de fontes de silício. 2003. 27 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Agronomia) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2024.

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