Publicação:
Análise do efeito de chaveamento em alta frequência em diferentes tecnologias de semicondutores utilizando um dsp multi-núcleos

dc.contributor.advisor-co1Barbosa, Vítor Fonseca
dc.contributor.advisor-co1Latteshttp://lattes.cnpq.br/8275230837714803pt_BR
dc.contributor.advisor1Freitas, Luiz Carlos Gomes de
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/0855458644750836pt_BR
dc.contributor.referee1Freitas, Luiz Carlos Gomes de
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/0855458644750836pt_BR
dc.contributor.referee2Santos Neto, Pedro José dos
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/7639620909227183pt_BR
dc.contributor.referee3Lima, Gustavo Brito de
dc.contributor.referee3Latteshttp://lattes.cnpq.br/3547526218965223pt_BR
dc.contributor.referee4Barbosa, Vítor Fonseca
dc.contributor.referee4Latteshttp://lattes.cnpq.br/8275230837714803pt_BR
dc.creatorEleodoro, Osmar Felipe Alves
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5474392227327227pt_BR
dc.date.accessioned2022-07-28T22:10:22Z
dc.date.available2022-07-28T22:10:22Z
dc.date.issued2022-07-22
dc.description.abstractWide-Bandgap (WBG) semiconductors have developed rapidly in recent years, enabling greater efficiency and power density in the design of power electronics converters for various application areas. In this scenario, this work analyzes the efficiency and specificities of Silicon Carbide (SiC) technologies and their cascode topology (SiC-Cascode), operating at high switching frequencies. The analyzes are performed using a Boost converter designed for conversion systems in the MEA - More-Electric Aircrafts context, where alternating current (AC) power systems can operate at fixed frequency (115V/400Hz), or at variable frequency (115V / 360-800Hz), and the Direct Current (DC) power system where a 400V or +/-270V DC bus is normally used. To validate the project, computer simulations were performed and a 1.0kW prototype was built in the laboratory. Performance analysis demonstrates that 98% efficiency is achieved with switching frequency in the range of 100 kHz to 500 kHz, which is most suitable for MEA.pt_BR
dc.description.degreenameTrabalho de Conclusão de Curso (Graduação)pt_BR
dc.description.resumoOs semicondutores Wide-Bandgap (WBG) têm se desenvolvido rapidamente nos últimos anos, possibilitando maior eficiência e densidade de potência no projeto de conversores de eletrônica de potência para diversas áreas de aplicação. Neste cenário, este trabalho analisa a eficiência e as especificidades das tecnologias de Carbeto de Silício (SiC) e sua topologia cascode (SiCCascode), operando em altas frequências de chaveamento. As análises são realizadas utilizando um conversor Boost projetado para sistemas de conversão no contexto MEA - More-Electric Aircrafts, onde os sistemas de energia em Corrente Alternada (CA) podem operar em frequência fixa (115V/400Hz), ou em frequência variável (115V/ 360-800Hz), e o sistema de alimentação de Corrente Contínua (CC) onde um barramento CC de 400V ou +/-270V são normalmente usados. Para validar o projeto, foram realizadas simulações computacionais e foi construído em laboratório um protótipo de 1,0kW. A análise de desempenho demonstra que 98% de eficiência é alcançada com frequência de comutação na faixa de 100 kHz a 500 kHz, a qual é a mais adequada para MEA.pt_BR
dc.description.sponsorshipCNPq - Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológicopt_BR
dc.identifier.citationELEODORO, Osmar Felipe Alves. Análise do efeito de chaveamento em alta frequência em diferentes tecnologias de semicondutores utilizando um DSP multi-núcleos. 2022. 84 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2022.pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufu.br/handle/123456789/35327
dc.languageporpt_BR
dc.orcid.putcode116518036
dc.publisherUniversidade Federal de Uberlândiapt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.courseEngenharia Elétricapt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/*
dc.sizeorduration84pt_BR
dc.subjectAeronaves mais elétricaspt_BR
dc.subjectAlta eficiênciapt_BR
dc.subjectAlta frequênciapt_BR
dc.subjectCarbeto de silíciopt_BR
dc.subjectSemicondutores de alta largura de bandapt_BR
dc.subjectTopologia cascodept_BR
dc.subjectCascode topologypt_BR
dc.subjectHigh-efficiencypt_BR
dc.subjectHigh-frequencypt_BR
dc.subjectMore-electric aircraftpt_BR
dc.subjectSilicon carbidept_BR
dc.subjectWide bandgap semiconductorspt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICApt_BR
dc.titleAnálise do efeito de chaveamento em alta frequência em diferentes tecnologias de semicondutores utilizando um dsp multi-núcleospt_BR
dc.title.alternativeANALYSIS OF THE EFFECT OF HIGH FREQUENCY SWITCHING IN DIFFERENT SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES USING A MULTI-CORE DSPpt_BR
dc.typeTrabalho de Conclusão de Cursopt_BR
dspace.entity.typePublication

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